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SI2301BDS-T1-E3
- 型號 :
- SI2301BDS-T1-E3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 簡介 :
- MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
- PDF :
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- 單價(jià) :
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1 - 10 : ￥ 3.14 11 - 100 : ￥ 3.12 101 - 1000 : ￥ 3.06
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瀏覽歷史
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
|---|---|
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 950mV @ 250μA |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） | 375pF @ 6V |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg） | 10nC @ 4.5V |
| 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 100 毫歐 @ 2.8A，4.5V |
| 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源極電壓（Vdss） | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 2.2A（Ta） |
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