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SI2356DS-T1-GE3
- 型號 :
- SI2356DS-T1-GE3
- 制造商 :
- Vishay Siliconix
- 簡介 :
- MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
- PDF :
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- 單價 :
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1 - 10 : ￥ 0.76 11 - 100 : ￥ 0.76 101 - 1000 : ￥ 0.74
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- 深圳市福田區(qū)華強北路寶華大廈A808
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瀏覽歷史
| FET 功能 | 標準 |
|---|---|
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250μA |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） | 370pF @ 20V |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） | 13nC @ 10V |
| 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值） | 51 毫歐 @ 3.2A，10V |
| 供應商器件封裝 | TO-236 |
| 功率 - 最大值 | 1.7W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源極電壓（Vdss） | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 4.3A（Tc） |
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