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| FET 功能 | 標準 |
|---|---|
| FET 類型 | GaNFET N 通道，氮化鎵 |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 3mA |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） | 540pF @ 100V |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） | 7.5nC @ 5V |
| 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值） | 25 毫歐 @ 6A，5V |
| 供應商器件封裝 | 模具 |
| 功率 - 最大值 |
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| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 模具 |
| 工作溫度 | -40°C ~ 125°C （TJ） |
| 漏源極電壓（Vdss） | 150V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 12A（Ta） |
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