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| FET 功能 | 邏輯電平門 |
|---|---|
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） | 200pF @ 16V |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） | 3.56nC(4.5V) |
| 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值） | 150 毫歐 @ 950mA，4.5V |
| 供應商器件封裝 | SOT-563 |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | SOT-563，SOT-666 |
| 工作溫度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源極電壓（Vdss） | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 860mA（Ta） |
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