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嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件）嵌入式 - 微控制器存儲器線性 - 放大器 - 儀表，運算放大器，緩沖器放大器接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器時鐘/計時 - 實時時鐘邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）嵌入式 - CPLD（復雜可編程邏輯器件）嵌入式 - 微控制器存儲器線性 - 放大器 - 儀表，運算放大器，緩沖器放大器接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器時鐘/計時 - 實時時鐘邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器PMIC - 監(jiān)控器PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器邏輯 - 比較器線性 - 比較器接口 - 控制器存儲器 - 控制器PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關PMIC - LED 驅(qū)動器PMIC - 電壓基準PMIC - Battery ChargersPMIC - OR 控制器，理想二極管PMIC - PFC（功率因數(shù)修正）PMIC - RMS 至 DC 轉(zhuǎn)換器PMIC - V/F 和 F/V 轉(zhuǎn)換器PMIC - 以太網(wǎng)供電（PoE） 控制器PMIC - 全，半橋驅(qū)動器PMIC - 顯示器驅(qū)動器PMIC - 柵極驅(qū)動器PMIC - 激光驅(qū)動器PMIC - 熱插拔控制器PMIC - 熱管理PMIC - 照明，鎮(zhèn)流器控制器PMIC - 電機驅(qū)動器，控制器PMIC - 電池管理PMIC - 電源控制器，監(jiān)視器PMIC - 電源管理 - 專用PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 + 切換式PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性晶體管驅(qū)動器PMIC - 穩(wěn)流/電流管理PMIC - 能量測量PMIC - 配電開關，負載驅(qū)動器RF 收發(fā)器 IC專用 IC存儲器 - 用于 FPGA 的配置 PROM嵌入式 - DSP（數(shù)字式信號處理器）嵌入式 - PLD（可編程邏輯器件）嵌入式 - 微控制器 - 應用特定嵌入式 - 微控制器或微處理器模塊嵌入式 - 帶有微控制器的 FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）嵌入式 - 微處理器嵌入式 - 片上系統(tǒng) (SoC)接口 - I/O 擴展器接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器）接口 - 專用接口 - 串行器，解串行器接口 - 傳感器和探測器接口接口 - 信號終端器接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器接口 - 模塊接口 - 模擬開關 - 專用接口 - 濾波器 - 有源接口 - 電信接口 - 直接數(shù)字合成（DDS）接口 - 編碼器，解碼器，轉(zhuǎn)換器接口 - 編解碼器接口 - 語音錄制和重放接口 - 調(diào)制解調(diào)器 - IC 和模塊數(shù)據(jù)采集 - ADCs/DAC - 專用型數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)模轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)采集 - 模擬前端（AFE）數(shù)據(jù)采集 - 觸摸屏控制器時鐘/計時 - IC 電池時鐘/計時 - 專用時鐘/計時 - 延遲線時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅(qū)動器線性 - 放大器 - 專用線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器線性 - 模擬乘法器，除法器線性 - 視頻處理線性 - 音頻放大器邏輯 - FIFO 存儲器邏輯 - 專用邏輯邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器邏輯 - 多頻振蕩器邏輯 - 奇偶校驗發(fā)生器和校驗器邏輯 - 柵極和逆變器邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置邏輯 - 移位寄存器邏輯 - 觸發(fā)器邏輯 - 通用總線函數(shù)邏輯 - 鎖銷邏輯 -計數(shù)器，除法器邏輯器件 - 轉(zhuǎn)換器，電平移位器
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IRF8302MTR1PBF
- 型號 :
- IRF8302MTR1PBF
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 簡介 :
- MOSFET N CH 30V 31A MX
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- 單價 :
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| FET 功能 | 標準 |
|---|---|
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 150μA |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss） | 6030pF @ 15V |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg） | 53nC @ 4.5V |
| 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值） | 1.8 毫歐 @ 31A，10V |
| 供應商器件封裝 | DIRECTFET? MX |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | DirectFET? 等容 MX |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） | 31A（Ta），190A（Tc） |
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