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IGBT - 模塊二極管，整流器 - 陣列FET - 單FET - 陣列IGBT - 單路IGBT - 陣列JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)RF FETRF 二極管RF 晶體管（BJT）SCR - 單個(gè)SCR - 模塊二極管/齊納陣列二端交流開關(guān)元件，硅對(duì)稱二端開關(guān)元件功率驅(qū)動(dòng)器 - 模塊單二極管/整流器單二極管/齊納雙向可控硅可變電容二極管（可變電容二極管，變?nèi)荻O管）可編程單結(jié)晶體管（PUT）晶體管 - 專用型晶體管（BJT） - 單路晶體管（BJT） - 單路﹐預(yù)偏壓式晶體管（BJT） - 陣列晶體管（BJT） - 陣列﹐預(yù)偏壓式橋式整流器配件
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TMC1340-SO
- 型號(hào) :
- TMC1340-SO
- 簡(jiǎn)介 :
- MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
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| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
|---|---|
| FET 類型 | 2 個(gè) N?通道和 2 個(gè) P 通道（H 橋） |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） | 960pF @ 25V |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg） | 10nC @ 4.5V |
| 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 33 毫歐 @ 5A，10V |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |
| 功率 - 最大值 | 1.38W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 5.5A，4.1A |
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