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IGBT - 模塊二極管，整流器 - 陣列FET - 單FET - 陣列IGBT - 單路IGBT - 陣列JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)RF FETRF 二極管RF 晶體管（BJT）SCR - 單個(gè)SCR - 模塊二極管/齊納陣列二端交流開關(guān)元件，硅對(duì)稱二端開關(guān)元件功率驅(qū)動(dòng)器 - 模塊單二極管/整流器單二極管/齊納雙向可控硅可變電容二極管（可變電容二極管，變?nèi)荻O管）可編程單結(jié)晶體管（PUT）晶體管 - 專用型晶體管（BJT） - 單路晶體管（BJT） - 單路﹐預(yù)偏壓式晶體管（BJT） - 陣列晶體管（BJT） - 陣列﹐預(yù)偏壓式橋式整流器配件
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BAT1505WH6327XTSA1
- 型號(hào) :
- BAT1505WH6327XTSA1
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 簡(jiǎn)介 :
- DIODE SCHOTTKY 4V 110MA SOT323
- PDF :
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| 不同?If，F(xiàn) 時(shí)的電阻 |
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|---|---|
| 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容 | 0.35pF @ 0V，1MHz |
| 二極管類型 | 肖特基 - 1 對(duì)共陰極 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-SOT323-3 |
| 功率耗散（最大值） | 100mW |
| 封裝/外殼 | SC-70，SOT-323 |
| 電壓 - 峰值反向（最大值） | 4V |
| 電流 - 最大值 | 110mA |
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