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| 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值） | 300mV @ 250μA，5mA |
|---|---|
| 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供應商器件封裝 | US6 |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶體管類型 | 2 個 PNP 預偏壓式（雙） |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 50V |
| 電流 - 集電極截止（最大值） | 500nA |
| 電流 - 集電極（Ic）（最大值） | 100mA |
| 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆） | 10k |
| 電阻器 - 基底（R1）（歐姆） | 10k |
| 頻率 - 躍遷 | 200MHz |
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