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IGBT - 模塊二極管，整流器 - 陣列FET - 單FET - 陣列IGBT - 單路IGBT - 陣列JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)RF FETRF 二極管RF 晶體管（BJT）SCR - 單個(gè)SCR - 模塊二極管/齊納陣列二端交流開(kāi)關(guān)元件，硅對(duì)稱二端開(kāi)關(guān)元件功率驅(qū)動(dòng)器 - 模塊單二極管/整流器單二極管/齊納雙向可控硅可變電容二極管（可變電容二極管，變?nèi)荻O管）可編程單結(jié)晶體管（PUT）晶體管 - 專用型晶體管（BJT） - 單路晶體管（BJT） - 單路﹐預(yù)偏壓式晶體管（BJT） - 陣列晶體管（BJT） - 陣列﹐預(yù)偏壓式橋式整流器配件
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NOSE477M004R0075
- 型號(hào) :
- NOSE477M004R0075
- 制造商 :
- AVX Corporation
- 簡(jiǎn)介 :
- CAP NIOB OXIDE 470UF 20% 4V 2917
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| ESR（等效串聯(lián)電阻） | 75 毫歐 |
|---|---|
| 制造商尺寸代碼 | E |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 容差 | ±20% |
| 封裝/外殼 | 2917（7343 公制） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 125°C |
| 特性 | 低 ESR |
| 電壓 - 額定 | 4V |
| 電容 | 470μF |
| 電流 - 漏泄 | 37.6μA |
| 耗散因數(shù) | 12% |
| 高度 - 安裝（最大值） | 0.169"（4.30mm） |
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